Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/985
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorРувінський, Марк Аунович-
dc.contributor.authorРувінський, Борис Маркович-
dc.contributor.authorКостюк, Оксана Богданівна-
dc.date.accessioned2019-12-02T08:28:01Z-
dc.date.available2019-12-02T08:28:01Z-
dc.date.issued2016-
dc.identifier.citationРувінський М. А. Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту / М. А. Рувінський, Б. М. Рувінський, О. Б. Костюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 1. - С. 7-10.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/985-
dc.description.abstractТеоретично визначено електропровідність, термоерс і теплопровідність квантового напівпровідникового дроту внаслідок гауссівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої і виродженої статистики носіїв заряду. Розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з напівпровідників типу А3В5 і А4В6 при низьких температурах. Визначено квантово-розмірні ефекти, характерні для квазіодновимірних систем.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectквантовий напівпровідниковий дрітuk_UA
dc.subjectгауссові флуктуації товщиниuk_UA
dc.subjectелектропровідністьuk_UA
dc.subjectтеплопровідністьuk_UA
dc.titleКінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дротуuk_UA
dc.title.alternativeThe Kinetic Effects, Caused by Thickness Fluctuations of Quantum Semiconductor Wireuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 17, № 1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
1093-2977-1-SM.pdf136.21 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.