Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/985
Назва: | Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту |
Інші назви: | The Kinetic Effects, Caused by Thickness Fluctuations of Quantum Semiconductor Wire |
Автори: | Рувінський, Марк Аунович Рувінський, Борис Маркович Костюк, Оксана Богданівна |
Ключові слова: | квантовий напівпровідниковий дріт гауссові флуктуації товщини електропровідність теплопровідність |
Дата публікації: | 2016 |
Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Бібліографічний опис: | Рувінський М. А. Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту / М. А. Рувінський, Б. М. Рувінський, О. Б. Костюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 1. - С. 7-10. |
Короткий огляд (реферат): | Теоретично визначено електропровідність, термоерс і теплопровідність квантового напівпровідникового дроту внаслідок гауссівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої і виродженої статистики носіїв заряду. Розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з напівпровідників типу А3В5 і А4В6 при низьких температурах. Визначено квантово-розмірні ефекти, характерні для квазіодновимірних систем. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/985 |
Розташовується у зібраннях: | Т. 17, № 1 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
1093-2977-1-SM.pdf | 136.21 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.