Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/985
Title: | Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту |
Other Titles: | The Kinetic Effects, Caused by Thickness Fluctuations of Quantum Semiconductor Wire |
Authors: | Рувінський, Марк Аунович Рувінський, Борис Маркович Костюк, Оксана Богданівна |
Keywords: | квантовий напівпровідниковий дріт гауссові флуктуації товщини електропровідність теплопровідність |
Issue Date: | 2016 |
Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Рувінський М. А. Кінетичні ефекти, обумовлені флуктуаціями товщини квантового напівпровідникового дроту / М. А. Рувінський, Б. М. Рувінський, О. Б. Костюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2016. - Т. 17. - № 1. - С. 7-10. |
Abstract: | Теоретично визначено електропровідність, термоерс і теплопровідність квантового напівпровідникового дроту внаслідок гауссівських флуктуацій товщини дроту. Результати наведено для випадків невиродженої і виродженої статистики носіїв заряду. Розглянутий механізм релаксації носіїв заряду є суттєвим для достатньо тонкого і чистого дроту з напівпровідників типу А3В5 і А4В6 при низьких температурах. Визначено квантово-розмірні ефекти, характерні для квазіодновимірних систем. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/985 |
Appears in Collections: | Т. 17, № 1 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
1093-2977-1-SM.pdf | 136.21 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.