Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/969
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorНовосядлий, Степан Петрович-
dc.contributor.authorІвасюк, Р. В.-
dc.contributor.authorКотик, Михайло Васильович-
dc.date.accessioned2019-11-26T13:28:34Z-
dc.date.available2019-11-26T13:28:34Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationНовосядлий С. П. Особливості вимірювання потенціалів в субмікронних структурах ВІС з використанням електрооптичного ефекту в рідких кристалах / С. П. Новосядлий, Р. В. Івасюк, М. В. Котик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2017. - Т. 18. - № 3. - С. 376-381.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/969-
dc.description.abstractКількісні значення електричного потенціалу генерування елементів субмікронних структур ВІС в робочому режимі можуть бути експериментально визначені електрооптичним ефектом в нематичному рідкому кристалі. Цей метод стосується методів електронної діагностики структур ВІС, що використовують ТК, і відноситься до САПР системи ВІС.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectрідкі кристалиuk_UA
dc.subjectвисокоінтегральний контурuk_UA
dc.subjectавтоматизована система проектуванняuk_UA
dc.subjectнематичні рідкі кристалиuk_UA
dc.titleОсобливості вимірювання потенціалів в субмікронних структурах ВІС з використанням електрооптичного ефекту в рідких кристалахuk_UA
dc.title.alternativeFeatures Potential Measurements in Submicron High Integral Circuits Structures Using Electro-Optical Effect in Liquid Crystalsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т 18, № 3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2283-6479-1-PB.pdf1.24 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.