1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2017
  6. Т 18, № 3
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/969
Назва: Особливості вимірювання потенціалів в субмікронних структурах ВІС з використанням електрооптичного ефекту в рідких кристалах
Інші назви: Features Potential Measurements in Submicron High Integral Circuits Structures Using Electro-Optical Effect in Liquid Crystals
Автори: Новосядлий, Степан Петрович
Івасюк, Р. В.
Котик, Михайло Васильович
Ключові слова: рідкі кристали
високоінтегральний контур
автоматизована система проектування
нематичні рідкі кристали
Дата публікації: 2017
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Новосядлий С. П. Особливості вимірювання потенціалів в субмікронних структурах ВІС з використанням електрооптичного ефекту в рідких кристалах / С. П. Новосядлий, Р. В. Івасюк, М. В. Котик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2017. - Т. 18. - № 3. - С. 376-381.
Короткий огляд (реферат): Кількісні значення електричного потенціалу генерування елементів субмікронних структур ВІС в робочому режимі можуть бути експериментально визначені електрооптичним ефектом в нематичному рідкому кристалі. Цей метод стосується методів електронної діагностики структур ВІС, що використовують ТК, і відноситься до САПР системи ВІС.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/969
Розташовується у зібраннях:Т 18, № 3

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
2283-6479-1-PB.pdf1.24 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.