Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/961
Title: Особливості електричних характеристик напівізолюючих кристалів CdTe-Сl
Other Titles: Peculiarities of Electrical Characteristics of Semi-Insulating CdTe-Сl crystals
Authors: Никонюк, Євген Сергійович
Захарук, Зінаїда Іванівна
Солодін, Сергій Володимирович
Фочук, Петро Михайлович
Дремлюженко, Сергій Григорович
Юрійчук, І. М.
Рудик, Богдан Петрович
Keywords: явища переносу
розсіяння носіїв заряду
телурид кадмію
Issue Date: 2017
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Никонюк Є. С. Особливості електричних характеристик напівізолюючих кристалів CdTe-Сl / Є. С. Никонюк, З. І. Захарук, С. В. Солодін, П. М. Фочук, С. Г. Дремлюженко, І. М. Юрійчук, Б. П. Рудик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2017. - Т. 18. - № 3. - С. 334-337.
Abstract: Досліджено електричні властивості напівізолюючих кристалів CdTe-Сl, вирощених вертикальним методом Бріджмена та методом рухомого нагрівника. Встановлено, що метод рухомого нагрівника забезпечує електронну провідність, а вертикальний метод Бріджмена – діркову. При 300 К питомий опір зразків становить ρ = (108-109) Омсм, холлівська рухливість: дірок µp = (45 - 55) см2/В•с, електронів µn ≈ (10 - 20) см2/В•с. Дуже низькі значення і експоненційна температурна залежність µn зумовлені дрейфовими бар’єрами з висотою εb ≈ 0,20 еВ. Формування останніх пов’язане з флуктуаціями потенціального рельєфу за рахунок мікронеоднорідностей дефектно-домішкової системи. Крім того, в зразках n-CdTe-Cl мають місце квазіфотохімічні реакції, що полягають у зменшенні рухливості електронів після фотозбудження. В зразках p-CdTe-Cl не виявлено ні дрейфових бар’єрів, ні квазіфотохімічних реакцій.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/961
Appears in Collections:Т 18, № 3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2275-6455-1-PB.pdf619.91 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.