Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/934
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorРомака, Любов Петрівна-
dc.contributor.authorСтадник, Юрій Володимирович-
dc.contributor.authorРомака, Віталій Володимирович-
dc.contributor.authorКрайовський, Володимир Ярославович-
dc.contributor.authorРогль, Петер-Франц-
dc.contributor.authorГоринь, Андрій Маркіянович-
dc.date.accessioned2019-11-20T10:44:09Z-
dc.date.available2019-11-20T10:44:09Z-
dc.date.issued2017-
dc.identifier.citationРомака Л. П. Дослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xGax / Л. П. Ромака, Ю. В. Стадник, В. В. Ромака, В. Я. Крайовський, П.-Ф. Рогль, А. М. Горинь // Фізика і хімія твердого тіла. - 2017. - Т. 18. - № 2. - С. 187-193.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/934-
dc.description.abstractВстановлена природа механізму генерування донорно-акцепторних пар у напівпровідниковому твердому розчині ZrNiSn1-xGax. Показано, що при зайнятті атомом Ga (4s24p1) позиції 4b атомів Sn (5s25p2) одночасно генеруються як структурні дефекти акцепторної природи, так і донорної (донорно-акцепторні пари) у вигляді вакансій у позиції 4b. Знайдено таке просторове розташування атомів в елементарній комірці rNiSn1-xGax, коли швидкість руху рівня Фермі εF, отримана з розрахунків розподілу густини електронних станів DOS, співпадає з експериментально встановленою з температурних залежностей питомого електроопору lnρ(1/T).uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectкристалічна і електронна структуриuk_UA
dc.subjectелектропровідністьuk_UA
dc.subjectкоефіцієнт термо-ерсuk_UA
dc.titleДослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xGaxuk_UA
dc.title.alternativeInvestigation of Band Structure of ZrNiSn1-xGax Semiconductor Solid Solutionuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т 18, № 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2295-6522-1-PB.pdf1.81 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.