Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/934
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Ромака, Любов Петрівна | - |
dc.contributor.author | Стадник, Юрій Володимирович | - |
dc.contributor.author | Ромака, Віталій Володимирович | - |
dc.contributor.author | Крайовський, Володимир Ярославович | - |
dc.contributor.author | Рогль, Петер-Франц | - |
dc.contributor.author | Горинь, Андрій Маркіянович | - |
dc.date.accessioned | 2019-11-20T10:44:09Z | - |
dc.date.available | 2019-11-20T10:44:09Z | - |
dc.date.issued | 2017 | - |
dc.identifier.citation | Ромака Л. П. Дослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xGax / Л. П. Ромака, Ю. В. Стадник, В. В. Ромака, В. Я. Крайовський, П.-Ф. Рогль, А. М. Горинь // Фізика і хімія твердого тіла. - 2017. - Т. 18. - № 2. - С. 187-193. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/934 | - |
dc.description.abstract | Встановлена природа механізму генерування донорно-акцепторних пар у напівпровідниковому твердому розчині ZrNiSn1-xGax. Показано, що при зайнятті атомом Ga (4s24p1) позиції 4b атомів Sn (5s25p2) одночасно генеруються як структурні дефекти акцепторної природи, так і донорної (донорно-акцепторні пари) у вигляді вакансій у позиції 4b. Знайдено таке просторове розташування атомів в елементарній комірці rNiSn1-xGax, коли швидкість руху рівня Фермі εF, отримана з розрахунків розподілу густини електронних станів DOS, співпадає з експериментально встановленою з температурних залежностей питомого електроопору lnρ(1/T). | uk_UA |
dc.language.iso | en | uk_UA |
dc.publisher | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" | uk_UA |
dc.subject | кристалічна і електронна структури | uk_UA |
dc.subject | електропровідність | uk_UA |
dc.subject | коефіцієнт термо-ерс | uk_UA |
dc.title | Дослідження електронної структури напівпровідникового твердого розчину ZrNiSn1-xGax | uk_UA |
dc.title.alternative | Investigation of Band Structure of ZrNiSn1-xGax Semiconductor Solid Solution | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Т 18, № 2 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
2295-6522-1-PB.pdf | 1.81 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.