Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/930
Title: | Епітаксіальні плівки SiGe з дислокаціями для пам’яті з можливістю перемикання: точні розрахунки з перших принципів |
Other Titles: | SiGe Epitaxial Films with Dislocations for the Switchable Memory: the Accurate First-Principle Calculations |
Authors: | Балабай, Руслана Михайлівна Залевський, Д. В. |
Keywords: | резистивна пам’ять довільного доступу резистивна пам’ять довільного доступу псевдопотенціал із перших принципів електронна структура густина електронних станів |
Issue Date: | 2019 |
Citation: | Балабай Р. М. Епітаксіальні плівки SiGe з дислокаціями для пам’яті з можливістю перемикання: точні розрахунки з перших принципів / Р. М. Балабай, Д. В. Залевський // Фізика і хімія твердого тіла. - 2019. - Т. 20. - № 3. - С. 247-256 |
Abstract: | Методами теорії функціоналу електронної густини і псевдопотенціалу із перших принципів отриманіхарактеристики електронної підсистеми робочого шару RRAM (Resistive Random Access Memory), щопобудований на основі епітаксіальних плівок Si0,9Ge0,1 з дислокаціями та впровадженими в них атомамисрібла. Розраховано просторові розподіли густини валентних електронів та їх перерізи в межах комірки,розподіл густини електронних станів, електричні заряди в околі остова атома кремнію при різних атомнихоточеннях. Досліджено, як зміни в електронній підсистемі досліджуваних об’єктів впливають на зміну їхвластивостей від непровідних до провідних. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/930 |
Appears in Collections: | Т.20, №3 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
3840-11777-1-PB.pdf | 6.39 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.