1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2020
  6. Т. 21, № 2
Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/8025
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorНовосядлий, Степан Петрович-
dc.contributor.authorЛуковкін, Володимир Віталійович-
dc.contributor.authorМельник, Р.-
dc.contributor.authorПавлишин, А. В.-
dc.date.accessioned2020-09-16T13:23:10Z-
dc.date.available2020-09-16T13:23:10Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.citationНовосядлий С. П. Фізично-топологічне моделювання кремнієвого/арсенідгалієвого транзистора Шотткі субмікронної технології ВІС / С. П. Новосядлий, В. М. Луковкін, Р. Мельник, А. В. Павлишин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2020. - Т. 21. - № 2. - С. 361-364.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.21.2.361-364-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/8025-
dc.description.abstractВ даній статті описані досліджені основи і фізичні механізми, арсенідгалієвих ПТШ на моно-Si-підкладках на бар’єрі Шотткі. Проведено комп’ютерне моделювання ПТШ з p-каналом: розподілів потенціалу, об’ємного заряду, струму в каналі та його характеристик. На основі проведеного моделювання відкрито новий ефект в ПТШ, а саме екранування об’ємного заряду, що суттєво впливає на струмовий розподіл в каналі.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectелектронікаuk_UA
dc.subjectВІСuk_UA
dc.subjectПольові транзистори Шотткіuk_UA
dc.subjectмоделюванняuk_UA
dc.subjectGaAsuk_UA
dc.titleФізично-топологічне моделювання кремнієвого/арсенідгалієвого транзистора Шотткі субмікронної технології ВІСuk_UA
dc.title.alternativePhysical-topology modeling of silicon/gallium arsenide Schottky transistor of submicron technology LSIuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 21, № 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3014-Текст статті-8213-1-10-20200701.pdf686.26 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.