DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/8025| Назва: | Фізично-топологічне моделювання кремнієвого/арсенідгалієвого транзистора Шотткі субмікронної технології ВІС |
| Інші назви: | Physical-topology modeling of silicon/gallium arsenide Schottky transistor of submicron technology LSI |
| Автори: | Новосядлий, Степан Петрович Луковкін, Володимир Віталійович Мельник, Р. Павлишин, А. В. |
| Ключові слова: | електроніка ВІС Польові транзистори Шотткі моделювання GaAs |
| Дата публікації: | 2020 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Новосядлий С. П. Фізично-топологічне моделювання кремнієвого/арсенідгалієвого транзистора Шотткі субмікронної технології ВІС / С. П. Новосядлий, В. М. Луковкін, Р. Мельник, А. В. Павлишин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2020. - Т. 21. - № 2. - С. 361-364. |
| Короткий огляд (реферат): | В даній статті описані досліджені основи і фізичні механізми, арсенідгалієвих ПТШ на моно-Si-підкладках на бар’єрі Шотткі. Проведено комп’ютерне моделювання ПТШ з p-каналом: розподілів потенціалу, об’ємного заряду, струму в каналі та його характеристик. На основі проведеного моделювання відкрито новий ефект в ПТШ, а саме екранування об’ємного заряду, що суттєво впливає на струмовий розподіл в каналі. |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/8025 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 21, № 2 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 3014-Текст статті-8213-1-10-20200701.pdf | 686.26 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.