Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/8025
Title: | Фізично-топологічне моделювання кремнієвого/арсенідгалієвого транзистора Шотткі субмікронної технології ВІС |
Other Titles: | Physical-topology modeling of silicon/gallium arsenide Schottky transistor of submicron technology LSI |
Authors: | Новосядлий, Степан Петрович Луковкін, Володимир Віталійович Мельник, Р. Павлишин, А. В. |
Keywords: | електроніка ВІС Польові транзистори Шотткі моделювання GaAs |
Issue Date: | 2020 |
Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Новосядлий С. П. Фізично-топологічне моделювання кремнієвого/арсенідгалієвого транзистора Шотткі субмікронної технології ВІС / С. П. Новосядлий, В. М. Луковкін, Р. Мельник, А. В. Павлишин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2020. - Т. 21. - № 2. - С. 361-364. |
Abstract: | В даній статті описані досліджені основи і фізичні механізми, арсенідгалієвих ПТШ на моно-Si-підкладках на бар’єрі Шотткі. Проведено комп’ютерне моделювання ПТШ з p-каналом: розподілів потенціалу, об’ємного заряду, струму в каналі та його характеристик. На основі проведеного моделювання відкрито новий ефект в ПТШ, а саме екранування об’ємного заряду, що суттєво впливає на струмовий розподіл в каналі. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/8025 |
Appears in Collections: | Т. 21, № 2 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
3014-Текст статті-8213-1-10-20200701.pdf | 686.26 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.