Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/8025
Title: Фізично-топологічне моделювання кремнієвого/арсенідгалієвого транзистора Шотткі субмікронної технології ВІС
Other Titles: Physical-topology modeling of silicon/gallium arsenide Schottky transistor of submicron technology LSI
Authors: Новосядлий, Степан Петрович
Луковкін, Володимир Віталійович
Мельник, Р.
Павлишин, А. В.
Keywords: електроніка
ВІС
Польові транзистори Шотткі
моделювання
GaAs
Issue Date: 2020
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Новосядлий С. П. Фізично-топологічне моделювання кремнієвого/арсенідгалієвого транзистора Шотткі субмікронної технології ВІС / С. П. Новосядлий, В. М. Луковкін, Р. Мельник, А. В. Павлишин // Фізика і хімія твердого тіла. - 2020. - Т. 21. - № 2. - С. 361-364.
Abstract: В даній статті описані досліджені основи і фізичні механізми, арсенідгалієвих ПТШ на моно-Si-підкладках на бар’єрі Шотткі. Проведено комп’ютерне моделювання ПТШ з p-каналом: розподілів потенціалу, об’ємного заряду, струму в каналі та його характеристик. На основі проведеного моделювання відкрито новий ефект в ПТШ, а саме екранування об’ємного заряду, що суттєво впливає на струмовий розподіл в каналі.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/8025
Appears in Collections:Т. 21, № 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3014-Текст статті-8213-1-10-20200701.pdf686.26 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.