Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/8015
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorЧичура, Ігор Іванович-
dc.contributor.authorТуряниця, І. І.-
dc.contributor.authorЧичура, Іван Іванович-
dc.date.accessioned2020-09-16T08:27:50Z-
dc.date.available2020-09-16T08:27:50Z-
dc.date.issued2020-
dc.identifier.citationЧичура Іг. Ів. Температурна залежність краю поглинання легованих кристалі арсеніду галію / Іг. Ів. Чичура, І. І. Туряниця, Ів. Ів. Чичура // Фізика і хімія твердого тіла. - 2020. - Т. 21. - № 2. - С. 288-293.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.21.2.288-293-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/8015-
dc.description.abstractТемпературна залежність фундаментального краю поглинання легованих цинком кристалів GaAs досліджувалася у діапазоні від 300 до 560 К. Температурна залежність краю фундаментального поглинання може бути представлена моделлю Бозе-Ейнштейна. Аналіз експериментальних даних дав нам можливість запропонувати функцію двох змінних (енергії фотонів та температури) для коефіцієнта поглинання у легованих кристалах у зоні краю поглинання.uk_UA
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectволоконно-оптичний датчик температуриuk_UA
dc.subjectлеговані цинком кристали GaAsuk_UA
dc.subjectоптичне пропускання легованих кристалів GaAsuk_UA
dc.titleТемпературна залежність краю поглинання легованих кристалі арсеніду галіюuk_UA
dc.title.alternativeTemperature dependence of the optical absorption edge of doped gallium arsenideuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 21, № 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3587-Текст статті-8198-1-10-20200701.pdf652.97 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.