DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/7550| Назва: | Кристалохімія точкових дефектів та механізми утворення твердих розчинів CdxZn1-xTe |
| Інші назви: | Crystal-Chemistry of Point Defects and Mechanisms Formation of Solid Solutions CdxZn1-xTe |
| Автори: | Гургула, Галина Ярославівна Вінтоняк, Т. П. Яремійчук, О. В. |
| Ключові слова: | тверді розчини точкові дефекти кристалоквазіхімічні формули |
| Дата публікації: | 2015 |
| Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
| Бібліографічний опис: | Гургула Г. Я. Кристалохімія точкових дефектів та механізми утворення твердих розчинів CdxZn1-xTe / Г. Я. Гургула, Т. П. Вінтоняк, О. В. Яремійчук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 4. - С. 706-710. |
| Короткий огляд (реферат): | Запропоновано кристалоквазіхімічні формули, визначено домінуючі точкові дефекти твердих розчинів CdxZn1-xТе для n- та р-типу провідності вихідних бінарних сполук CdTe і ZnТе. Розраховано залежність концентрації дефектів, вільних носіїв струму та холлівської концентрації від складу твердих розчинів |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/7550 |
| Розташовується у зібраннях: | Т. 16, № 4 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 828-2503-1-SM.pdf | 345.92 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.