Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/7545
Title: | Вплив тиску кисню на властивості тонких плівок ZnO:Al, вирощених методом пошарового росту при магнетронному розпиленні |
Other Titles: | TheInfluenceofOxygen Pressure onZnO:AlThin Films Properties Grown byLayerbyLayer Growth MethodatMagnetronSputtering |
Authors: | Євтушенко, Арсеній Іванович Биков, Олександр Іванович Клочков, Леонід Олександрович Литвин, Оксана Степанівна Ткач, Василь Михайлович Куцай, Олександр Михайлович Старик, Сергій Петрович Батурин, Владимир Андреевич Карпенко, Олександр Юрійович Душейко, Михайло Григорович Лашкарьов, Георгій Вадимович |
Keywords: | ZnO плівки легування алюмінієм магнетронне осадження оптичне пропускання електричний опір |
Issue Date: | 2015 |
Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Євтушенко А. І. Вплив тиску кисню на властивості тонких плівок ZnO:Al, вирощених методом пошарового росту при магнетронному розпиленні / А. І. Євтушенко 1 , О. І. Биков, Л. О. Клочков, О. С. Литвин, В. М. Ткач, О. М. Куцай, С. П. Старик, В. А. Батурин, О. Ю. Карпенко, М. Г. Душейко, Г. В. Лашкарьов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 4. - С. 667-674. |
Abstract: | Вивчено впливу тиску кисню в камері осадження на структуру, морфологію, оптичні та електричні властивості легованих алюмінієм плівок ZnO, осаджених методом пошарового росту в магнетронному розпиленні на скляних підкладках. Проаналізовано вплив застосування традиційного одноетапного підходу та запропонованого нами методу пошарового росту в магнетронному розпиленні на властивості плівок ZnO, легованих алюмінієм. Встановлено, що зі зменшенням тиску кисню в камері осадження покращується структура, збільшується пропускання в видимій області спектру випромінювання та зменшується питомий опір плівок ZnO:Al. Показано, що застосування методу пошарового росту в магнетронному розпиленні дозволяє виростити прозорі провідні плівки ZnO:Al з вищими робочими параметрами, порівняно з плівками, сконденсованими традиційним підходом в магнетронному розпиленні. Методом пошарового росту вирощено плівки ZnO:Al з електричним опором 6,1·10-4Ом·см та пропусканням у видимій області спектру випромінювання на рівні 95 %, що є перспективним для використання їх в приладах фотовольтаїки. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/7545 |
Appears in Collections: | Т. 16, № 4 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
820-3179-1-PB.pdf | 532.08 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.