Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/7545
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Євтушенко, Арсеній Іванович | - |
dc.contributor.author | Биков, Олександр Іванович | - |
dc.contributor.author | Клочков, Леонід Олександрович | - |
dc.contributor.author | Литвин, Оксана Степанівна | - |
dc.contributor.author | Ткач, Василь Михайлович | - |
dc.contributor.author | Куцай, Олександр Михайлович | - |
dc.contributor.author | Старик, Сергій Петрович | - |
dc.contributor.author | Батурин, Владимир Андреевич | - |
dc.contributor.author | Карпенко, Олександр Юрійович | - |
dc.contributor.author | Душейко, Михайло Григорович | - |
dc.contributor.author | Лашкарьов, Георгій Вадимович | - |
dc.date.accessioned | 2020-05-27T07:06:26Z | - |
dc.date.available | 2020-05-27T07:06:26Z | - |
dc.date.issued | 2015 | - |
dc.identifier.citation | Євтушенко А. І. Вплив тиску кисню на властивості тонких плівок ZnO:Al, вирощених методом пошарового росту при магнетронному розпиленні / А. І. Євтушенко 1 , О. І. Биков, Л. О. Клочков, О. С. Литвин, В. М. Ткач, О. М. Куцай, С. П. Старик, В. А. Батурин, О. Ю. Карпенко, М. Г. Душейко, Г. В. Лашкарьов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 4. - С. 667-674. | uk_UA |
dc.identifier.other | 10.15330/pcss.16.4.667-674 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/7545 | - |
dc.description.abstract | Вивчено впливу тиску кисню в камері осадження на структуру, морфологію, оптичні та електричні властивості легованих алюмінієм плівок ZnO, осаджених методом пошарового росту в магнетронному розпиленні на скляних підкладках. Проаналізовано вплив застосування традиційного одноетапного підходу та запропонованого нами методу пошарового росту в магнетронному розпиленні на властивості плівок ZnO, легованих алюмінієм. Встановлено, що зі зменшенням тиску кисню в камері осадження покращується структура, збільшується пропускання в видимій області спектру випромінювання та зменшується питомий опір плівок ZnO:Al. Показано, що застосування методу пошарового росту в магнетронному розпиленні дозволяє виростити прозорі провідні плівки ZnO:Al з вищими робочими параметрами, порівняно з плівками, сконденсованими традиційним підходом в магнетронному розпиленні. Методом пошарового росту вирощено плівки ZnO:Al з електричним опором 6,1·10-4Ом·см та пропусканням у видимій області спектру випромінювання на рівні 95 %, що є перспективним для використання їх в приладах фотовольтаїки. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" | uk_UA |
dc.subject | ZnO плівки | uk_UA |
dc.subject | легування алюмінієм | uk_UA |
dc.subject | магнетронне осадження | uk_UA |
dc.subject | оптичне пропускання | uk_UA |
dc.subject | електричний опір | uk_UA |
dc.title | Вплив тиску кисню на властивості тонких плівок ZnO:Al, вирощених методом пошарового росту при магнетронному розпиленні | uk_UA |
dc.title.alternative | TheInfluenceofOxygen Pressure onZnO:AlThin Films Properties Grown byLayerbyLayer Growth MethodatMagnetronSputtering | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Т. 16, № 4 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
820-3179-1-PB.pdf | 532.08 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.