1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2015
  6. Т. 16, № 3
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7523
Назва: Комп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер бетатранзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС
Інші назви: Computer Simulation of Gallium Arsenide Super Beta Transistors Heterostructures for High-Speed BIS
Автори: Новосядлий, Степан Петрович
Гузік, В. С.
Ключові слова: гетероструктура
арсенід галію
кремній
реактори електронно-циклотронного резонансу
Дата публікації: 2015
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Новосядлий С. П. Комп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер бетатранзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС / С. П. Новосядлий, В. С. Гузік // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 3. - С. 599-605.
Короткий огляд (реферат): Серед напівпровідників на широті використання в мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем арсенід був і залишився основним матеріалом. Разом з тим почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми в силу високої рухливості носіїв заряду мають частотний діапазон функціонування недосягаючий для мікросхем на основі кремнію (Si).
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/7523
Розташовується у зібраннях:Т. 16, № 3

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
803-2459-1-SM.pdf923.94 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.