Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/7523
Title: | Комп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер бетатранзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС |
Other Titles: | Computer Simulation of Gallium Arsenide Super Beta Transistors Heterostructures for High-Speed BIS |
Authors: | Новосядлий, Степан Петрович Гузік, В. С. |
Keywords: | гетероструктура арсенід галію кремній реактори електронно-циклотронного резонансу |
Issue Date: | 2015 |
Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Новосядлий С. П. Комп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер бетатранзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС / С. П. Новосядлий, В. С. Гузік // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 3. - С. 599-605. |
Abstract: | Серед напівпровідників на широті використання в мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем арсенід був і залишився основним матеріалом. Разом з тим почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми в силу високої рухливості носіїв заряду мають частотний діапазон функціонування недосягаючий для мікросхем на основі кремнію (Si). |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/7523 |
Appears in Collections: | Т. 16, № 3 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
803-2459-1-SM.pdf | 923.94 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.