Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/7523
Title: Комп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер бетатранзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС
Other Titles: Computer Simulation of Gallium Arsenide Super Beta Transistors Heterostructures for High-Speed BIS
Authors: Новосядлий, Степан Петрович
Гузік, В. С.
Keywords: гетероструктура
арсенід галію
кремній
реактори електронно-циклотронного резонансу
Issue Date: 2015
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Новосядлий С. П. Комп’ютерне моделювання арсенід галієвих супер бетатранзисторів на гетероструктурах для швидкодіючих ВІС / С. П. Новосядлий, В. С. Гузік // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 3. - С. 599-605.
Abstract: Серед напівпровідників на широті використання в мікроелектроніці для створення цифрових мікросхем арсенід був і залишився основним матеріалом. Разом з тим почали інтенсивно впроваджувати мікросхеми на основі арсеніду галію. Арсенідгалієві мікросхеми в силу високої рухливості носіїв заряду мають частотний діапазон функціонування недосягаючий для мікросхем на основі кремнію (Si).
URI: http://hdl.handle.net/123456789/7523
Appears in Collections:Т. 16, № 3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
803-2459-1-SM.pdf923.94 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.