Особливості полірування пластин GaAs хіміко-динамічним та безконтактним хіміко-механічним методами

Abstract

Проведене порівняльне дослідження двох методів хімічного полірування підкладок GaAs при застосовуванні однакового травника Br2 + HBr; порівнювались швидкості травлення й морфології поверхні. Виявлено, що при хіміко-динамічному поліруванні зразків GaAs(111)В утворюються численні ямки травлення, які, однак, на поверхні, обробленої методом безконтактного хіміко-механічного полірування не виявляються. Крім того, останній метод, в порівнянні з методом хіміко-динамічного полірування, дозволяє значно підвищити швидкість травлення: тобто, залежно від методу полірування той самий травник поводиться, як селективний або як поліруючий. На основі розробленої моделі травлення поверхні підкладки поблизу виходу дислокації проведене моделювання процесу утворення дислокаційної ямки травлення при поліруванні підкладок обома вищевказаними методами. Результати моделювання узгоджуються із припущенням про два конкуруючих механізмів травлення GaAs у в травнику Br2 + HBr.