Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/7353
Назва: | Вплив точкового дефекту вуглецевої нанотрубки типу (8,0) на розподіл молекулярного електростатичного потенціалу в околі її порту |
Інші назви: | Effect of Point Defect in Carbon Nanotube (8.0) on the Molecular Electrostatic Potential distribution Near it Edge |
Автори: | Дацюк, Андрій Михайлович |
Ключові слова: | вуглецеві нанотрубки молекулярний електростатичний потенціал точковий дефект квантовохімічні розрахунки |
Дата публікації: | 2015 |
Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Бібліографічний опис: | Дацюк А. М. Вплив точкового дефекту вуглецевої нанотрубки типу (8,0) на розподіл молекулярного електростатичного потенціалу в околі її порту / А. М. Дацюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 3. - С. 515-519. |
Короткий огляд (реферат): | В роботі проаналізовано вплив точкового дефекту на електронну та просторову будову модельної вуглецевої нанотрубки (8,0) в залежності від розміщення вакансії в структурі нанотрубки. На основі проведених квантовохімічних розрахунків, використовуючи напівемпіричні та неемпіричні підходи, побудовано карти розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в площині, перпендикулярній головній осі нанотрубки. Показано, що дефекти типу «вакансія», які розміщуються за межами першого гексагонального вуглецевого пояса практично не впливають на топологію розподілу молекулярного електростатичного потенціалу в околі входу в вуглецеву нанотрубку, натомість хімічну активність портових атомів такої нанотрубки можуть визначати точкові дефекти вакансійного типу, що розміщуються в першому гексагональному поясі |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/7353 |
Розташовується у зібраннях: | Т. 16, № 3 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
788-2433-1-SM.pdf | 302.28 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.