Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/7302
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorНовосядлий, Степан Петрович-
dc.contributor.authorТерлецький, Андрій Іванович-
dc.contributor.authorФрик, Оксана Богданівна-
dc.date.accessioned2020-05-20T08:59:28Z-
dc.date.available2020-05-20T08:59:28Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationНовосядлий С. П. Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами / С. П. Новосядлий, А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 2. - С. 420-424.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.16.2.420-424-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/7302-
dc.description.abstractРозглянуто особливості технологічних процесів формування n- та p-канальних польових транзисторів Шотткі на р-GaAs із самосуміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму, які можуть бути використані для створення швидкодіючих комплементарних логічних схем. Описано низькотемпературну технологію реактивного осадження нітриду вольфраму методом ВЧ-магнетронного розпилення вольфрамової мішені в азотно-аргоновій плазмі.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectарсенід галіюuk_UA
dc.subjectпольові транзистори Шотткіuk_UA
dc.subjectнітрид вольфрамуuk_UA
dc.subjectсиліцид вольфрамуuk_UA
dc.titleФормування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворамиuk_UA
dc.title.alternativeFormation CMOS Schemes on GaAs with Self-Aligned Nitride and Silicide Gatesuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 16, № 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
773-2403-1-SM.pdf621.48 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.