Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/7302
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Новосядлий, Степан Петрович | - |
dc.contributor.author | Терлецький, Андрій Іванович | - |
dc.contributor.author | Фрик, Оксана Богданівна | - |
dc.date.accessioned | 2020-05-20T08:59:28Z | - |
dc.date.available | 2020-05-20T08:59:28Z | - |
dc.date.issued | 2015 | - |
dc.identifier.citation | Новосядлий С. П. Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами / С. П. Новосядлий, А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 2. - С. 420-424. | uk_UA |
dc.identifier.other | 10.15330/pcss.16.2.420-424 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/7302 | - |
dc.description.abstract | Розглянуто особливості технологічних процесів формування n- та p-канальних польових транзисторів Шотткі на р-GaAs із самосуміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму, які можуть бути використані для створення швидкодіючих комплементарних логічних схем. Описано низькотемпературну технологію реактивного осадження нітриду вольфраму методом ВЧ-магнетронного розпилення вольфрамової мішені в азотно-аргоновій плазмі. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" | uk_UA |
dc.subject | арсенід галію | uk_UA |
dc.subject | польові транзистори Шотткі | uk_UA |
dc.subject | нітрид вольфраму | uk_UA |
dc.subject | силіцид вольфраму | uk_UA |
dc.title | Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами | uk_UA |
dc.title.alternative | Formation CMOS Schemes on GaAs with Self-Aligned Nitride and Silicide Gates | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Т. 16, № 2 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
773-2403-1-SM.pdf | 621.48 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.