1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2015
  6. Т. 16, № 2
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7302
Назва: Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами
Інші назви: Formation CMOS Schemes on GaAs with Self-Aligned Nitride and Silicide Gates
Автори: Новосядлий, Степан Петрович
Терлецький, Андрій Іванович
Фрик, Оксана Богданівна
Ключові слова: арсенід галію
польові транзистори Шотткі
нітрид вольфраму
силіцид вольфраму
Дата публікації: 2015
Видавництво: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Бібліографічний опис: Новосядлий С. П. Формування КМОН схем на GaAs із самосуміщеними нітридними та силіцидними затворами / С. П. Новосядлий, А. І. Терлецький, О. Б. Фрик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 2. - С. 420-424.
Короткий огляд (реферат): Розглянуто особливості технологічних процесів формування n- та p-канальних польових транзисторів Шотткі на р-GaAs із самосуміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму, які можуть бути використані для створення швидкодіючих комплементарних логічних схем. Описано низькотемпературну технологію реактивного осадження нітриду вольфраму методом ВЧ-магнетронного розпилення вольфрамової мішені в азотно-аргоновій плазмі.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/7302
Розташовується у зібраннях:Т. 16, № 2

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
773-2403-1-SM.pdf621.48 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити
Показати повний опис матеріалу Перегляд статистики


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.