1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2015
  6. Т. 16, № 2
Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/7301
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorНовосядлий, Степан Петрович-
dc.contributor.authorЛуцький, І. М.-
dc.date.accessioned2020-05-20T08:42:40Z-
dc.date.available2020-05-20T08:42:40Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationНовосядлий С. П. Шляхи підвищення швидкодії GaAs–полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ–схем / С. П. Новосядлий, І. М. Луцький // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 2. - С. 413-419.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.16.2.413-419-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/7301-
dc.description.abstractНемає сумніву, що використання технологій польових транзисторів із зотвором Шотткі на GaAs для формування швидкодіючих ВІС має велику перспективу. Не менші перспективи відкриваються перед унікальною за своїми властивостями СЛГТ – технологією для проектування сучасних ВІС/НВІС. У випадку застосування СЛГТ можна задовільнити 3 головні технологічні критерії: швидкодію, низьку споживану потужність і техноло–гічність процесу виготовлення складних структур ВІС.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectСелективно легований гетеротранзисторuk_UA
dc.subjectпольовий транзистор Шотткіuk_UA
dc.subjectепітаксіяuk_UA
dc.titleШляхи підвищення швидкодії GaAs–полових транзисторів Шотткі (ПТШ) та селективнолегованих гетеротранзисторів (СЛГТ) для формування сучасних НВЧ–схемuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 16, № 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
772-2401-1-SM.pdf426.91 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.