Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/7242
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Терлецький, Андрій Іванович | - |
dc.contributor.author | Урсакі, Вячеслав | - |
dc.contributor.author | Тігіняну, Іван Михайлович | - |
dc.contributor.author | Ікізлі, Вікторія | - |
dc.contributor.author | Пишна, Наталія Борисівна | - |
dc.contributor.author | Радауцан, Сергій Іванович | - |
dc.date.accessioned | 2020-05-17T13:17:06Z | - |
dc.date.available | 2020-05-17T13:17:06Z | - |
dc.date.issued | 1996 | - |
dc.identifier.citation | Ursaki V. V. Zn+/P+ and Zn+/As+ co-implantation in InP single crystals / V. V. Ursaki, I. M. Tiginyanu, V. M. Ichizli, A. I. Terletsky, N. B. Pyshnaya, S. I. Radautsan // Proceeding 19th Edition of Annual Semiconductor Conf. October 12-17, Sinaia, Romania. – 1996. – pp. 401-404. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/7242 | - |
dc.language.iso | en_US | uk_UA |
dc.publisher | Матеріали 19-ї щорічної конференції з напівпровідників, 12-17 жовтня 1996 р, Сіная, Румунія | uk_UA |
dc.subject | подвійна імплантація | uk_UA |
dc.subject | фосфід індію | uk_UA |
dc.subject | активація домішки | uk_UA |
dc.subject | інверсія типу провідності | uk_UA |
dc.title | Zn+/P+ та Zn+/As+ коімплантація в монокристалах InP | uk_UA |
dc.title.alternative | Zn+/P+ and Zn+/As+ co-implantation in InP single crystals | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Статті та тези (ФТФ) |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
CAS-96.pdf | 394.34 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.