Вплив коімплантації іонів P+ на електричні параметри монокристалів GaAs, імплантованих іонами Zn+

Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/7241

Full metadata record

DC Field	Value	Language
dc.contributor.author	Терлецький, Андрій Іванович	-
dc.contributor.author	Урсакі, Вячеслав	-
dc.contributor.author	Ікізлі, Вікторія	-
dc.contributor.author	Тігіняну, Іван Михайлович	-
dc.date.accessioned	2020-05-17T13:12:06Z	-
dc.date.available	2020-05-17T13:12:06Z	-
dc.date.issued	1996	-
dc.identifier.citation	Ursaki V. V. Influence of P+ -coimplantation on electrical parameters of Zn+-implanted GaAs single crystals / V. V. Ursaki, V. M. Ichizli, A. I. Terletsky, I. M. Tiginyanu // Известия АН РМ, сер. Физика и техника. – 1996. – 3(21). – с. 10-12.	uk_UA
dc.identifier.uri	http://hdl.handle.net/123456789/7241	-
dc.language.iso	en	uk_UA
dc.publisher	Известия Академии наук Республики Молдова, серия Физика и техника	uk_UA
dc.subject	подвійна імплентація	uk_UA
dc.subject	арсенід галію	uk_UA
dc.subject	електричні параметри	uk_UA
dc.subject	концентраційні профілі	uk_UA
dc.title	Вплив коімплантації іонів P+ на електричні параметри монокристалів GaAs, імплантованих іонами Zn+	uk_UA
dc.title.alternative	Influence of P+ -coimplantation on electrical parameters of Zn+-implanted GaAs single crystals	uk_UA
dc.type	Article	uk_UA
Appears in Collections:	Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:

File	Description	Size	Format
BASRM_3_1996.pdf		206.3 kB	Adobe PDF	View/Open

DSpace JSPUI