Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/7140
Title: | Спосіб формування надпровідної металізації в субмікронних арсенідгалієвих структурах |
Authors: | Новосядлий, Степан Петрович Котик, Михайло Васильович Дзундза, Богдан Степанович Грига, Володимир Михайлович Новосядлий, Святослав Володимирович Мандзюк, Володимир Ігорович |
Issue Date: | 2020 |
Citation: | Новосядлий С.П., Котик М.В., Дзундза Б.С., Грига В.М., Новосядлий С.В., Мандзюк В.І.Спосіб формування надпровідної металізації в субмікронних арсенідгалієвихструктурах ВІС. Патент на винахід №120899 (Україна) Н01L 21/28 (2006.01); Заявл. 25.07.2019 Бюл. №14; Опубл. 25.02.2020, Бюл. №4. 10 c. |
Series/Report no.: | Бюл. №4; |
Abstract: | Спосіб формування надпровідної металізації в субмікронних арсенідгалієвих структурах ВІС (великих інтегральних схем), який місить формування структур ВІС на польових транзисторах Шотткі і епітаксію GaAs на Si-підкладках, імплантацію іонів кремнію для стік-витокових областей та металізацію затвора і провідників магнетронним розпиленням мішеней із сплавів ніобію або ванадію, який відрізняється тим, що як сплави ніобію або ванадію використовують кріосплави Nb-Si-Ho-1-1 або V-Ge-Ho-1-1, сплав ніобію і ванадію формують зонною плавкою, а ретроградні стік-витокові області польових транзисторів Шотткі - багатозарядною іонною імплантацією кремнію на глибину 0,35 мкм при енергії Е = 80±10 еВ і дозі Д = (1±0,2)•1015 см-2. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/7140 |
Appears in Collections: | Статті та тези (ФТФ) |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
Patent 120899.docx | 1.35 MB | Microsoft Word XML | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.