Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/7140
Title: Спосіб формування надпровідної металізації в субмікронних арсенідгалієвих структурах
Authors: Новосядлий, Степан Петрович
Котик, Михайло Васильович
Дзундза, Богдан Степанович
Грига, Володимир Михайлович
Новосядлий, Святослав Володимирович
Мандзюк, Володимир Ігорович
Issue Date: 2020
Citation: Новосядлий С.П., Котик М.В., Дзундза Б.С., Грига В.М., Новосядлий С.В., Мандзюк В.І.Спосіб формування надпровідної металізації в субмікронних арсенідгалієвихструктурах ВІС. Патент на винахід №120899 (Україна) Н01L 21/28 (2006.01); Заявл. 25.07.2019 Бюл. №14; Опубл. 25.02.2020, Бюл. №4. 10 c.
Series/Report no.: Бюл. №4;
Abstract: Спосіб формування надпровідної металізації в субмікронних арсенідгалієвих структурах ВІС (великих інтегральних схем), який місить формування структур ВІС на польових транзисторах Шотткі і епітаксію GaAs на Si-підкладках, імплантацію іонів кремнію для стік-витокових областей та металізацію затвора і провідників магнетронним розпиленням мішеней із сплавів ніобію або ванадію, який відрізняється тим, що як сплави ніобію або ванадію використовують кріосплави Nb-Si-Ho-1-1 або V-Ge-Ho-1-1, сплав ніобію і ванадію формують зонною плавкою, а ретроградні стік-витокові області польових транзисторів Шотткі - багатозарядною іонною імплантацією кремнію на глибину 0,35 мкм при енергії Е = 80±10 еВ і дозі Д = (1±0,2)•1015 см-2.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/7140
Appears in Collections:Статті та тези (ФТФ)

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
Patent 120899.docx1.35 MBMicrosoft Word XMLView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.