Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/7130
Full metadata record
DC Field | Value | Language |
---|---|---|
dc.contributor.author | Ромака, Віталій Володимирович | - |
dc.contributor.author | Рогль, Петер-Франц | - |
dc.contributor.author | Ромака, Любов Петрівна | - |
dc.contributor.author | Стадник, Юрій Володимирович | - |
dc.contributor.author | Корж, Роман Орестович | - |
dc.contributor.author | Крайовський, Володимир Ярославович | - |
dc.contributor.author | Ковбасюк, Тарас Михайлович | - |
dc.contributor.author | Цигилик, Н. В. | - |
dc.date.accessioned | 2020-05-13T09:03:18Z | - |
dc.date.available | 2020-05-13T09:03:18Z | - |
dc.date.issued | 2015 | - |
dc.identifier.citation | Ромака В. В. Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb.II. Особливості кристалічної та електронної структур / В. В. Ромака, П. Рогль, Л. П. Ромака, Ю. В. Стадник, Р. О. Корж, В. Я. Крайовський, Т. М. Ковбасюк, Н. В. Цигилик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 2. - С. 335-340. | uk_UA |
dc.identifier.other | 10.15330/pcss.16.2.335-340 | - |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/7130 | - |
dc.description.abstract | Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, х = 0 – 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлена природа донорів у n-VFeSb («апріорне легування») як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Отриманий результат лежить в основі технології отримання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSbз максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну. | uk_UA |
dc.language.iso | uk_UA | uk_UA |
dc.publisher | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" | uk_UA |
dc.subject | напівпровідник | uk_UA |
dc.subject | електропровідність | uk_UA |
dc.subject | електронна структура | uk_UA |
dc.title | Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb.II. Особливості кристалічної та електронної структур | uk_UA |
dc.title.alternative | Investigation of V1-xTixFeSb Semiconductor Solid Solution. II. Peculiarities of Crystal and Electronic Structure | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Appears in Collections: | Т. 16, № 2 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
756-2373-1-SM.pdf | 656.25 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.