Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/7130
Title: | Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb.II. Особливості кристалічної та електронної структур |
Other Titles: | Investigation of V1-xTixFeSb Semiconductor Solid Solution. II. Peculiarities of Crystal and Electronic Structure |
Authors: | Ромака, Віталій Володимирович Рогль, Петер-Франц Ромака, Любов Петрівна Стадник, Юрій Володимирович Корж, Роман Орестович Крайовський, Володимир Ярославович Ковбасюк, Тарас Михайлович Цигилик, Н. В. |
Keywords: | напівпровідник електропровідність електронна структура |
Issue Date: | 2015 |
Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Ромака В. В. Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb.II. Особливості кристалічної та електронної структур / В. В. Ромака, П. Рогль, Л. П. Ромака, Ю. В. Стадник, Р. О. Корж, В. Я. Крайовський, Т. М. Ковбасюк, Н. В. Цигилик // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 2. - С. 335-340. |
Abstract: | Досліджено особливості кристалічної та електронної структур напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb, х = 0 – 0,20. Описано механізм генерування у кристалі структурних дефектів акцепторної та донорної природи. Зокрема, встановлена природа донорів у n-VFeSb («апріорне легування») як результат наявності вакансій у позиції атомів Sb (4b). Отриманий результат лежить в основі технології отримання нових термоелектричних матеріалів на основі n-VFeSbз максимальною ефективністю перетворення теплової енергії в електричну. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/7130 |
Appears in Collections: | Т. 16, № 2 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
756-2373-1-SM.pdf | 656.25 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.