Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/7127
Title: | Остівні одноелектронні стани адсорбційних комплексів Ge на поверхні Si(001)(4´2) |
Other Titles: | Core-Level States of Single-Electron Adsorption Complexes Ge on Si (001) (4´2) |
Authors: | Ткачук, Ольга Іванівна Теребінська, Марія Іванівна Лобанов, Віктор Васильович |
Keywords: | поверхня кремнію адсорбція германію метод теорії функціонала густини кластерний підхід |
Issue Date: | 2015 |
Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Ткачук О. І. Остівні одноелектронні стани адсорбційних комплексів Ge на поверхні Si(001)(4´2) / О. І. Ткачук, М. І. Теребінська, В. В. Лобанов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 2. - С. 316-321. |
Abstract: | Розрахунки (ТФГ, B3LYP, 6-31 G**) хімічних зсувів компоненти 5 2 3d остівного рівня 3d атомів германію, які входять в поверхневий шар кластера Si96H84•Ge2, що моделює молекулярний адсорбційний комплекс германію на реконструйованій грані Si(001)(4´2), показали що величина їх зсуву залежить від взаємного розташування атомів Ge. При впровадженні одного атома германію в кристалічну підкладку цей зсув позитивний, а впровадження двох атомів приводить до негативного хімічного зсуву. Дано трактування отриманих результатів, виходячи з розподілу заряду в кластерах, в так званому електростатичному наближенні. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/7127 |
Appears in Collections: | Т. 16, № 2 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
753-2367-1-SM.pdf | 455.07 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.