Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/7127
Title: Остівні одноелектронні стани адсорбційних комплексів Ge на поверхні Si(001)(4´2)
Other Titles: Core-Level States of Single-Electron Adsorption Complexes Ge on Si (001) (4´2)
Authors: Ткачук, Ольга Іванівна
Теребінська, Марія Іванівна
Лобанов, Віктор Васильович
Keywords: поверхня кремнію
адсорбція германію
метод теорії функціонала густини
кластерний підхід
Issue Date: 2015
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Ткачук О. І. Остівні одноелектронні стани адсорбційних комплексів Ge на поверхні Si(001)(4´2) / О. І. Ткачук, М. І. Теребінська, В. В. Лобанов // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 2. - С. 316-321.
Abstract: Розрахунки (ТФГ, B3LYP, 6-31 G**) хімічних зсувів компоненти 5 2 3d остівного рівня 3d атомів германію, які входять в поверхневий шар кластера Si96H84•Ge2, що моделює молекулярний адсорбційний комплекс германію на реконструйованій грані Si(001)(4´2), показали що величина їх зсуву залежить від взаємного розташування атомів Ge. При впровадженні одного атома германію в кристалічну підкладку цей зсув позитивний, а впровадження двох атомів приводить до негативного хімічного зсуву. Дано трактування отриманих результатів, виходячи з розподілу заряду в кластерах, в так званому електростатичному наближенні.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/7127
Appears in Collections:Т. 16, № 2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
753-2367-1-SM.pdf455.07 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.