Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/7053
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Терлецький, Андрій Іванович | - |
dc.contributor.author | Радауцан, Сергій Іванович | - |
dc.contributor.author | Тігіняну, Іван Михайлович | - |
dc.contributor.author | Урсакі, Вячеслав | - |
dc.contributor.author | Ікізлі, Вікторія | - |
dc.contributor.author | Cobianu, C | - |
dc.contributor.author | Dascalu, D | - |
dc.date.accessioned | 2020-05-10T16:31:39Z | - |
dc.date.available | 2020-05-10T16:31:39Z | - |
dc.date.issued | 1994 | - |
dc.identifier.citation | Radautsan S. I. Raman characterisation of Zn+ implanted GaAs single crystals coimplanted with As+ and Ar+ ions / S. I. Radautsan, A. I. Terletsky, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, Ichizli V. M., C. Cobianu, D. Dascalu // Proceedings 17th Edition of Annual Semiconductor Conf. October 11-16, Sinaia, Romania. – 1994. – pp. 247-250. | uk_UA |
dc.identifier.uri | http://hdl.handle.net/123456789/7053 | - |
dc.language.iso | en | uk_UA |
dc.publisher | Матеріали 17-ї щорічної конференції з напівпровідників, 11-16 жовтня 1994 р, Сіная, Румунія | uk_UA |
dc.subject | спектри Рамана | uk_UA |
dc.subject | подвійна імплантація | uk_UA |
dc.subject | арсенід галію | uk_UA |
dc.subject | активація домішки | uk_UA |
dc.title | Дослідження комбінаційного розсіювання світла в монокристалах GaAs, імплантованих іонами Zn+ та коімплантованих іонами As+ та Ar+ | uk_UA |
dc.type | Article | uk_UA |
Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
CAS-94.pdf | 263.56 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.