Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7053
Повний запис метаданих
Поле DCЗначенняМова
dc.contributor.authorТерлецький, Андрій Іванович-
dc.contributor.authorРадауцан, Сергій Іванович-
dc.contributor.authorТігіняну, Іван Михайлович-
dc.contributor.authorУрсакі, Вячеслав-
dc.contributor.authorІкізлі, Вікторія-
dc.contributor.authorCobianu, C-
dc.contributor.authorDascalu, D-
dc.date.accessioned2020-05-10T16:31:39Z-
dc.date.available2020-05-10T16:31:39Z-
dc.date.issued1994-
dc.identifier.citationRadautsan S. I. Raman characterisation of Zn+ implanted GaAs single crystals coimplanted with As+ and Ar+ ions / S. I. Radautsan, A. I. Terletsky, I. M. Tiginyanu, V. V. Ursaki, Ichizli V. M., C. Cobianu, D. Dascalu // Proceedings 17th Edition of Annual Semiconductor Conf. October 11-16, Sinaia, Romania. – 1994. – pp. 247-250.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/7053-
dc.language.isoenuk_UA
dc.publisherМатеріали 17-ї щорічної конференції з напівпровідників, 11-16 жовтня 1994 р, Сіная, Румуніяuk_UA
dc.subjectспектри Раманаuk_UA
dc.subjectподвійна імплантаціяuk_UA
dc.subjectарсенід галіюuk_UA
dc.subjectактивація домішкиuk_UA
dc.titleДослідження комбінаційного розсіювання світла в монокристалах GaAs, імплантованих іонами Zn+ та коімплантованих іонами As+ та Ar+uk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
CAS-94.pdf263.56 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.