Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/7051
Назва: Вплив інфрачервоної підсвітки на спектри фотопровідності кристалів GaAs, опромінених α-частинками
Автори: Терлецький, Андрій Іванович
Радауцан, Сергій Іванович
Тігіняну, Іван Михайлович
Урсакі, Вячеслав
Ключові слова: арсенід галію
спектри фотопровідності
інфрачервона підсвітка
глибокі рівні
радіаційні дефекти
Дата публікації: 1994
Видавництво: Известия Академии наук Республики Молдова, серия Физика и техника
Бібліографічний опис: Радауцан С. И. Влияние инфракрасной подсветки на спектры фотопроводимости кристаллов GaAs, облученных α-частицами / С. И. Радауцан, А. И. Терлецкий, И. М. Тигиняну, В. В. Урсаки // Известия АН РМ, сер. Физика и техника. – 1994. – 1(13). – с. 3-4.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/7051
Розташовується у зібраннях:Статті та тези (ФТФ)

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
BASRM_1_1994.pdf260.37 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.