Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/6969
Title: Варізонна технологія формування структур швидкодіючих GaAs – транзисторів як основи сучасних ВІС
Other Titles: Graded-Gap TechnologyFormattingof High-Speed GaAs – TransistorStructuresastheBasisforModern of Large Integrated Circuits
Authors: Новосядлий, Степан Петрович
Босацький, А. М.
Keywords: швидкость електронів
рухливость електронів
ВІС
транзистори
Issue Date: 2015
Publisher: ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"
Citation: Новосядлий С. П. Варізонна технологія формування структур швидкодіючих GaAs – транзисторів як основи сучасних ВІС / С. П. Новосядлий, А. М. Босацький // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 1. - С. 221-229.
Abstract: Зменшення розмірів кремнієвих приладів супровуджується збільшенням ефективної швидкості електронів, зменшенням їх пролітного часу і переходом до балістичного режиму роботи. Одночасно, як наслідок, із зменшенням розмірів знижується і споживана потужність. Формування структур ВІС на Siгомопереході зменшує їх частотний діапазон та швидкодію. Сучасними світовими розробниками було запропоновано декілька нових типів приладів і технологій формування їх структур, які використовують переваги високих значень швидкості і рухливості електронів в GaAs, а також використання малих розмірів структур. До них відносяться, наприклад, польові транзистори на гетероструктурах із сегментованим легуванням (СЛПТ), біполярні транзистори (БГТ) із широкозонним емітером, транзистором з проникливою базою , вертикальні балістичні транзистори, прилади з плоско-легованими бар'єрами і транзистори на гарячих електронах, як елементної бази сучасних сучасних швидкодіючих ВІС. В даній статті ми зупинимось варізонної технології формування структур як біполяних, так і польових транзисторів, які стануть основою сучасних швидкодіючих ВІС .
URI: http://hdl.handle.net/123456789/6969
Appears in Collections:Т. 16, № 1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
739-2339-1-SM.pdf363.49 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.