Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/6969
Title: | Варізонна технологія формування структур швидкодіючих GaAs – транзисторів як основи сучасних ВІС |
Other Titles: | Graded-Gap TechnologyFormattingof High-Speed GaAs – TransistorStructuresastheBasisforModern of Large Integrated Circuits |
Authors: | Новосядлий, Степан Петрович Босацький, А. М. |
Keywords: | швидкость електронів рухливость електронів ВІС транзистори |
Issue Date: | 2015 |
Publisher: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Citation: | Новосядлий С. П. Варізонна технологія формування структур швидкодіючих GaAs – транзисторів як основи сучасних ВІС / С. П. Новосядлий, А. М. Босацький // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 1. - С. 221-229. |
Abstract: | Зменшення розмірів кремнієвих приладів супровуджується збільшенням ефективної швидкості електронів, зменшенням їх пролітного часу і переходом до балістичного режиму роботи. Одночасно, як наслідок, із зменшенням розмірів знижується і споживана потужність. Формування структур ВІС на Siгомопереході зменшує їх частотний діапазон та швидкодію. Сучасними світовими розробниками було запропоновано декілька нових типів приладів і технологій формування їх структур, які використовують переваги високих значень швидкості і рухливості електронів в GaAs, а також використання малих розмірів структур. До них відносяться, наприклад, польові транзистори на гетероструктурах із сегментованим легуванням (СЛПТ), біполярні транзистори (БГТ) із широкозонним емітером, транзистором з проникливою базою , вертикальні балістичні транзистори, прилади з плоско-легованими бар'єрами і транзистори на гарячих електронах, як елементної бази сучасних сучасних швидкодіючих ВІС. В даній статті ми зупинимось варізонної технології формування структур як біполяних, так і польових транзисторів, які стануть основою сучасних швидкодіючих ВІС . |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/6969 |
Appears in Collections: | Т. 16, № 1 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
739-2339-1-SM.pdf | 363.49 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.