Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/6914
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorБережанський, Є. І.-
dc.contributor.authorНічкало, Степан Ігорович-
dc.contributor.authorЄрохов, Валерій Юрійович-
dc.contributor.authorДружинін, Анатолій Олександрович-
dc.date.accessioned2020-05-07T08:36:43Z-
dc.date.available2020-05-07T08:36:43Z-
dc.date.issued2015-
dc.identifier.citationБережанський Є. І. Нанотекстурування кремнію методом каталітичного хімічного травлення / Є. І. Бережанський, С. І. Нічкало, В. Ю. Єрохов, А. О. Дружинін // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 1. - С. 140-144.uk_UA
dc.identifier.other10.15330/pcss.16.1.140-144-
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/6914-
dc.description.abstractВ даній статті розглянуто метод каталітичного хімічного травлення (MacEtch) як один з ефективних способів структурування кремнієвої поверхні з можливістю ефективного управління геометричними параметрами структур та їх розподілом на поверхні підкладки. Представлено технологію текстурування поверхні та отримано структуровані поверхні кремнію з регулярними та нерегулярними типами поверхонь. Дана технологія може бути застосована для нанотекстурування поверхонь кремнієвих фотоелетричних перетворювачів. Запропоновано модель фотоелектричного перетворювача з кратероподібною текстурою поверхні кремнієвої пластини з підвищеним ККД.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.publisherДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника"uk_UA
dc.subjectкремнієві наноструктуриuk_UA
dc.subjectфотоелектричний перетворювачuk_UA
dc.subjectкаталітичне хімічне травленняuk_UA
dc.titleНанотекстурування кремнію методом каталітичного хімічного травленняuk_UA
dc.title.alternativeNanotexturing of Silicon by Metal-Assisted Chemical Etchinguk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т. 16, № 1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
726-2313-1-SM.pdf405.54 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.