Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/6909
Назва: | Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb. I. Особливості електрокінетичних характеристик |
Інші назви: | Investigation of V1-xTixFeSb Semiconductor Solid Solution. I. Peculiarities of Electrokinetic Characteristics |
Автори: | Ромака, Володимир Афанасійович Рогль, Петер-Франц Стадник, Юрій Володимирович Ромака, Любов Петрівна Корж, Роман Орестович Качаровський, Д. Крайовський, Володимир Ярославович Горинь, Андрій Маркіянович |
Ключові слова: | напівпровідник електропровідність електронна структура. |
Дата публікації: | 2015 |
Видавництво: | ДНВЗ "Прикарпатський національний університет імені Василя Стефаника" |
Бібліографічний опис: | Ромака В. А. Дослідження напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb. I. Особливості електрокінетичних характеристик / В. А. Ромака, П. Рогль, Ю. В. Стадник, Л. П. Ромака, Р. О. Корж, Д. Качаровський, В. Я. Крайовський, А. М. Горинь // Фізика і хімія твердого тіла. - 2015. - Т. 16. - № 1. - С. 111-115. |
Короткий огляд (реферат): | Досліджено особливості температурних та концентраційних характеристик питомого електроопору та коефіцієнта термо-ерс напівпровідникового твердого розчину V1-xTixFeSb у діапазонах температур та концентрацій: Т = 4,2 – 400 К та Ті Ti NA ≈ 9.5·1019 –3,6·1021 см-3 (х = 0,005–0,20). Встановлено існування невідомого раніше механізму генерування структурних дефектів донорної природи, які визначають провідність n-VFeSb та V1-xTixFeSb. Підтверджено акцепторну природу структурних дефектів, генерованих у V1-xTixFeSb, при заміщенні V атомами Ті |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/6909 |
Розташовується у зібраннях: | Т. 16, № 1 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
721-2305-1-SM.pdf | 213.79 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.