Дослідження напівпровідникового твердого розчину Ti1-xMoxCoSb

Abstract

Досліджено вплив легування сполуки TiCoSb (структурний тип MgAgAs) атомами Мо на особливості структурних характеристик та поведінку кінетичних, енергетичних та магнітних властивостей напівпровідникового твердого розчину Ti1-xMoxCoSb (х=0–0.06) в інтервалі температур 80–400 К. Показано, що уведення атомів Мо (rМо=0.140 нм) до структури сполуки ТiCoSb шляхом заміщення у позиції 4а атомів Ті (rТі=0.146 нм) супроводжується немонотонною зміною значень періоду елементарної комірки а(х), вказуючи на непрогнозовані структурні зміни. На основі аналізу зміни значень питомого опору, коефіцієнта термо-ерс, магнітної сприйнятливості та енергетичних характеристик зроблено висновок про одночасне генерування у кристалі структурних дефектів донорної та акцепторної природи (донорно-акцепторні пари), які породжують відповідні енергетичні рівні у забороненій зоні напівпровідника та визначають його електропровідність.