1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2018
  6. Т.19 №4
Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/607
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorНовосядлий, Степан Петрович-
dc.contributor.authorГрига, Володимир Михайлович-
dc.contributor.authorКуриш, І. І.-
dc.contributor.authorМельник, М. І.-
dc.date.accessioned2019-10-08T08:25:44Z-
dc.date.available2019-10-08T08:25:44Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationНовосядлий С. П. Термопольова стабілізація порогової напруги польових транзисторів субмікронної технології ВІС / С. П. Новосядлий, В. М. Грига, І. І. Куриш, М. І. Мельник // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 4. - С. 352-357.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/607-
dc.description.abstractНа основі аналізу об’ємної відповідності фаз в діючій затворній системі Si-SiO2 показана можливість отримання від’ємного заряду в затворній системі субмікронних ВІС. Такий технологічний метод експериментально провірений при низькотемпературному оксидуванні кремнію, на що отримано патент на винахід. Дослідженнями встановлено, що на величину заряду на міжфазній межі можна суттєво впливати шляхом введення в окислювальну атмосферу галогеномістних сполук.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.subjectтранзисториuk_UA
dc.subjectсубмікронна технологіяuk_UA
dc.subjectстабілізаціяuk_UA
dc.titleТермопольова стабілізація порогової напруги польових транзисторів субмікронної технології ВІСuk_UA
dc.title.alternativeThermal Field Stabilization of the Threshold Voltage of the Field Transistors of the Submicron Technology of the LSIuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т.19 №4

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3381-10042-1-PB.pdf556.23 kBAdobe PDFView/Open
Show simple item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.