DSpace JSPUI
DSpace зберігає і дозволяє легкий і відкритий доступ до всіх видів цифрового контенту, включаючи текст, зображення, анімовані зображення, MPEG і набори даних
Дізнатися більше
Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/600| Назва: | Особливості формування НВЧ арсенід-галієвих субмікронних структур великих інтегральних схем |
| Інші назви: | Peculiarities of Forming of Microwave Arsenide-Gallium Submicron Structures of Large-scale Integrated Circuit |
| Автори: | Новосядлий, Степан Петрович Мандзюк, Володимир Ігорович Гуменюк, Н. Т. Гук, І. З. |
| Ключові слова: | арсенід галію польові транзистори Шотткі нітрид вольфраму силіцид вольфраму монокремій |
| Дата публікації: | 2018 |
| Бібліографічний опис: | Новосядлий С. П. Особливості формування НВЧ арсенід-галієвих субмікронних структур великих інтегральних схем / С. П. Новосядлий, В. І. Мандзюк, Н. Т. Гуменюк, І. З. Гук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 2. - С. 186-190. |
| Короткий огляд (реферат): | У роботі розглянуто особливості технологічних процесів формування субмікронних польових транзисторів Шотткі з використанням арсенід-галієвої технології, а саме технологію формування польових транзисторів Шотткі із самосуміщеним затвором на основі нітриду або силіциду вольфраму. Розроблено високоефективну технологію формування капсулюючих шарів нітридних плівок AlN та BN високочастотним магнетронним розпиленням відповідної мішені в азотній плазмі для реалізації МДН- транзисторів на GaAs |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/600 |
| Розташовується у зібраннях: | Т.19 №2 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 2377-9503-1-PB.pdf | 505.89 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.