Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/595
Назва: Множина важливих кінетичних властивостей кристалів та їх залежність від механізмів розсіювання носіїв зарядів
Інші назви: A Set of the Important Kinetic Properties of Crystals and Their Dependence on the Charge Carriers’ Scattering Mechanisms
Автори: Буджак, Ярослав Степанович
Вацлавський, Тадеуш
Ключові слова: потенціал Гіббса
електропровідність
теплопровідність
тензор
Дата публікації: 2018
Бібліографічний опис: Буджак Я. С. Множина важливих кінетичних властивостей кристалів та їх залежність від механізмів розсіювання носіїв зарядів / Я. С. Буджак, Т. Вацлавски // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 4. - С. 303-306.
Короткий огляд (реферат): В нерівноважній термодинаміці відомі узагальнені рівняння електропровідності та теплопровідності. Вони описують відгук провідного середовища на дію дрейфових полів в ньому та магнітного поля. В ці рівняння входять феноменологічні тензори та коефіцієнти, які визначають всю множну важливих кінетичних властивостей провідних кристалів. Отже, для вияснення природи властивостей кристала необхідно вияснити природу множини кінетичних тензорів і коефіцієнтів, які входять в узагальнені рівняння електропровідності та теплопровідності. В даній роботі вся множина цих важливих величин для ізотропних кристалів методами статистичної фізики розраховуються при загальних умовах спостереження.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/595
Розташовується у зібраннях:Т.19 №4

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
3377-10022-1-PB.pdf516.64 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.