Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/595
Назва: | Множина важливих кінетичних властивостей кристалів та їх залежність від механізмів розсіювання носіїв зарядів |
Інші назви: | A Set of the Important Kinetic Properties of Crystals and Their Dependence on the Charge Carriers’ Scattering Mechanisms |
Автори: | Буджак, Ярослав Степанович Вацлавський, Тадеуш |
Ключові слова: | потенціал Гіббса електропровідність теплопровідність тензор |
Дата публікації: | 2018 |
Бібліографічний опис: | Буджак Я. С. Множина важливих кінетичних властивостей кристалів та їх залежність від механізмів розсіювання носіїв зарядів / Я. С. Буджак, Т. Вацлавски // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 4. - С. 303-306. |
Короткий огляд (реферат): | В нерівноважній термодинаміці відомі узагальнені рівняння електропровідності та теплопровідності. Вони описують відгук провідного середовища на дію дрейфових полів в ньому та магнітного поля. В ці рівняння входять феноменологічні тензори та коефіцієнти, які визначають всю множну важливих кінетичних властивостей провідних кристалів. Отже, для вияснення природи властивостей кристала необхідно вияснити природу множини кінетичних тензорів і коефіцієнтів, які входять в узагальнені рівняння електропровідності та теплопровідності. В даній роботі вся множина цих важливих величин для ізотропних кристалів методами статистичної фізики розраховуються при загальних умовах спостереження. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/595 |
Розташовується у зібраннях: | Т.19 №4 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
3377-10022-1-PB.pdf | 516.64 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.