Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/588
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКамінський, Василь Миколайович-
dc.contributor.authorКовалюк, Захар Дмитрович-
dc.contributor.authorІванов, Володимир Ігорович-
dc.contributor.authorТкачук, Іван Георгійович-
dc.contributor.authorНетяга, Віктор Васильович-
dc.date.accessioned2019-10-04T09:42:15Z-
dc.date.available2019-10-04T09:42:15Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationКамінський В. М. Електричні властивості кристалів InSe<Cd> / В. М. Камінський, З. Д. Ковалюк, В. І. Іванов, І. Г. Ткачук, В. В. Натяга // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 2. - С. 159-162.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/588-
dc.description.abstractПроведено виміри електропровідності вздовж (в змінному електричному полі) і перпендикулярно (в постійному електричному полі) кристалографічної осі С кристалів селеніду індію легованого кадмієм. Розраховані параметри cтрибкової провідності в InSe<Cd>.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.subjectшаруватий кристалuk_UA
dc.subjectселенід індіюuk_UA
dc.subjectелектропровідністьuk_UA
dc.titleЕлектричні властивості кристалів InSe<Cd>uk_UA
dc.title.alternativeElectrical Properties of Cd Doped InSe Crystalsuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т.19 №2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2875-9495-1-PB.pdf527.45 kBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.