Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/586
Title: Електропровідність та магнетоопір мікроструктур кремнію за низьких температур в околі переходу метал-діелектрик
Other Titles: Electrical Conductivity and Magnetoresistance of Silicon Microstructures in the Vicinity to Metal-Insulator Transition
Authors: Ховерко, Юрій Миколайович
Щербань, Н. О.
Keywords: стрибкова провідність
мікрокристал
від’ємний магнітоопір
кріогеннітемператури
Issue Date: 2018
Citation: Ховерко Ю. М. Електропровідність та магнетоопір мікроструктур кремнію за низьких температур в околі переходу метал-діелектрик / Ю. М. Ховерко, Н. О. Щербань // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 3. - С. 246-253.
Abstract: Проведено комплексні дослідження мікрокристалів кремнію з питомим опором від ρ300К =0,025 Ом×см до ρ300К = 0,007 Ом×см, легованих транспортною домішкою бору до концентрацій, щовідповідають переходу метал-діелектрик та модифікованих домішкою перехідного металу нікелю занизьких температур до температури скрапленого гелію Т = 4,2 К в магнітних полях до 14 Тл. Визначеноособливості електрофізичних характеристик зразків за низьких температур в сильних магнітних полях до14 Тл, що обумовлені впливом магнітної домішки в розбавлених магнетитиками напівпровідниках ізапропоновано викорастання таких кристалів в сенсорах фізичних величин (температура, магнітне поле,деформація).
URI: http://hdl.handle.net/123456789/586
Appears in Collections:Т.19 №3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3261-9702-1-PB.pdf1.74 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.