Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/586
Title: | Електропровідність та магнетоопір мікроструктур кремнію за низьких температур в околі переходу метал-діелектрик |
Other Titles: | Electrical Conductivity and Magnetoresistance of Silicon Microstructures in the Vicinity to Metal-Insulator Transition |
Authors: | Ховерко, Юрій Миколайович Щербань, Н. О. |
Keywords: | стрибкова провідність мікрокристал від’ємний магнітоопір кріогеннітемператури |
Issue Date: | 2018 |
Citation: | Ховерко Ю. М. Електропровідність та магнетоопір мікроструктур кремнію за низьких температур в околі переходу метал-діелектрик / Ю. М. Ховерко, Н. О. Щербань // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 3. - С. 246-253. |
Abstract: | Проведено комплексні дослідження мікрокристалів кремнію з питомим опором від ρ300К =0,025 Ом×см до ρ300К = 0,007 Ом×см, легованих транспортною домішкою бору до концентрацій, щовідповідають переходу метал-діелектрик та модифікованих домішкою перехідного металу нікелю занизьких температур до температури скрапленого гелію Т = 4,2 К в магнітних полях до 14 Тл. Визначеноособливості електрофізичних характеристик зразків за низьких температур в сильних магнітних полях до14 Тл, що обумовлені впливом магнітної домішки в розбавлених магнетитиками напівпровідниках ізапропоновано викорастання таких кристалів в сенсорах фізичних величин (температура, магнітне поле,деформація). |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/586 |
Appears in Collections: | Т.19 №3 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
3261-9702-1-PB.pdf | 1.74 MB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.