Вплив іонізуючого випромінювання на структуру, електрофізичні і оптичні характеристики кристалів Cd1-хZnхTe

Abstract

На основі рентгенівських досліджень були оптимізовані умови вирощування кристалів Cd1-хZnxTe (0,02 ≤ х ≤ 0,1) високої структурної досконалості. В одержаних кристалах досліджені зміни структури, електричних параметрів і оптичного пропускання при опромінені зразків g-, b- випромінюванням. При опромінені g-квантами джерела 60Со дозою Ф ≥ 105 Гр спостерігалося незначне погіршення структури і оптичного пропускання зразків, збільшення концентрації дірок р і зменшення рухливості носіїв заряду m в кристалах р-типу. Протягом 30 - 40 діб значення р і m релаксували до вихідних значень. Зміни структурної досконалості, оптичного пропускання і електричних параметрів зразків, опромінених електронами, були більш суттєвими.