Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: http://hdl.handle.net/123456789/585
Назва: Вплив іонізуючого випромінювання на структуру, електрофізичні і оптичні характеристики кристалів Cd1-хZnхTe
Інші назви: Effect of Ionizing Radiation on the Structure, Electro-Physical and Optical Characteristics of Cd1-xZnxTe Crystals
Автори: Фочук, Петро Михайлович
Шафранюк, В. П.
Раренко, Г. І.
Никонюк, Євген Сергійович
Канак, Андрій Ігорович
Захарук, Зінаїда Іванівна
Ключові слова: тверді розчини Cd1-xZnxTe
іонізуюче випромінювання
оптичне пропускання
електрофізичні властивості
Дата публікації: 2018
Бібліографічний опис: Фочук П. М. Вплив іонізуючого випромінювання на структуру, електрофізичні і оптичні характеристики кристалів Cd1-хZnхTe / П. М. Фочук, В. П. Шафранюк, І. Г. Раренко, Є. С. Никотюк, А. І. Канак, З. І. Захарук // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 3. - С. 239-245.
Короткий огляд (реферат): На основі рентгенівських досліджень були оптимізовані умови вирощування кристалів Cd1-хZnxTe (0,02 ≤ х ≤ 0,1) високої структурної досконалості. В одержаних кристалах досліджені зміни структури, електричних параметрів і оптичного пропускання при опромінені зразків g-, b- випромінюванням. При опромінені g-квантами джерела 60Со дозою Ф ≥ 105 Гр спостерігалося незначне погіршення структури і оптичного пропускання зразків, збільшення концентрації дірок р і зменшення рухливості носіїв заряду m в кристалах р-типу. Протягом 30 - 40 діб значення р і m релаксували до вихідних значень. Зміни структурної досконалості, оптичного пропускання і електричних параметрів зразків, опромінених електронами, були більш суттєвими.
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): http://hdl.handle.net/123456789/585
Розташовується у зібраннях:Т.19 №3

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
3111-9701-1-PB.pdf1.91 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.