Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/579
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorКішкар, А. С.-
dc.contributor.authorКурилюк, Василь Васильович-
dc.date.accessioned2019-10-03T09:24:53Z-
dc.date.available2019-10-03T09:24:53Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationКішкар А. С. Молекулярно-динамічне моделювання коефіцієнта теплопровідності кремній/германієвих нанониток / А. С. Кішкар, В. В. Курилюк // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 3. - С. 222-225.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/579-
dc.description.abstractЗ використанням методу нерівноважної молекулярної динаміки розраховано коефіцієнт теплопровідності кремній/германієвих нанониток різної геометрії і компонентного складу. Показано, що при зростанні вмісту германію x, теплопровідність нанониток Si1-xGex зменшується, досягає мінімуму при x=0.4 і поступово починає зростати. Виявлено, що в порожнистих Si нанонитках коефіцієнт теплопровідності монотонно зменшується при зростанні радіусу порожнини. Розраховано фононні спектри та проаналізовано механізми фононного розсіювання в досліджуваних нанонитках.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.subjectкоефіцієнт теплопровідностіuk_UA
dc.subjectнанониткаuk_UA
dc.subjectкремнійuk_UA
dc.subjectмолекулярна динамікаuk_UA
dc.titleМолекулярно-динамічне моделювання коефіцієнта теплопровідності кремній/германієвих нанонитокuk_UA
dc.title.alternativeMolecular Dynamics Modeling of Thermal Conductivity of Silicon/Germanium Nanowiresuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т.19 №3

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3045-9697-1-PB.pdf1.39 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.