Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/5782
Назва: | Електрохемічні характеристики конденсаторних систем, сформованих на основі хемічно модифікованого вуглецю |
Автори: | Будзуляк, Іван Михайлович Мандзюк, Володимир Ігорович Лісовський, Роман Петрович Мерена, Роман Іванович Беркещук, Михайло Васильович |
Ключові слова: | активований вуглецевий матеріал подвійний електричний шар питома ємність діаграма Найквіста циклічна вольтамперограма |
Дата публікації: | 2006 |
Видавництво: | Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України |
Бібліографічний опис: | І.М. Будзуляк, В.І. Мандзюк, Р.П. Лісовський, Р.І. Мерена, М.В. Беркещук. Електрохемічні характеристики конденсаторних систем, сформованих на основі хемічно модифікованого вуглецю // Наносистеми, наноматеріали, нанотехнології. 2006. Т. 4, №3. С. 569-583. |
Серія/номер: | Т. 4;№3 |
Короткий огляд (реферат): | З’ясовано вплив хімічної модифікації активованого вуглецевого матеріалу на його питому ємність з використанням методів імпедансної спектроскопії, циклічної вольтамперометрії та хроноамперометрії. Показано, що загальна ємність є сумою двох складових – ємності подвійного електричного шару (ПЕШ) та псевдоємності, причому вклад останньої є незначним (2-6 %). Легування хромом і марганцем призводить до підвищення питомої ємності на 69 і 71 % відповідно. Ймовірно, основною причиною такого зростання є трансформація валентної зони вуглецевого матеріалу за рахунок привнесення додаткових електронних станів від впроваджених металів, в результаті чого значно більша кількість іонів (насамперед, позитивних) буде приймати участь у формуванні ПЕШ, а, отже, і зумовлювати ріст питомої ємності. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/5782 |
Розташовується у зібраннях: | Статті та тези (ФТФ) |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Carbon.pdf | 760.13 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.