Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/574
Full metadata record
DC FieldValueLanguage
dc.contributor.authorРомака, Любов Петрівна-
dc.contributor.authorРоманів, Іванна Михайлівна-
dc.contributor.authorРомака, Віталій Володимирович-
dc.contributor.authorКоник, Марія Богданівна-
dc.contributor.authorГоринь, Андрій Маркіянович-
dc.contributor.authorСтадник, Юрій Володимирович-
dc.date.accessioned2019-10-02T13:21:24Z-
dc.date.available2019-10-02T13:21:24Z-
dc.date.issued2018-
dc.identifier.citationРомака Л. П. Ізотермічний переріз потрійної системи Ho–Cu–Sn при 670 K / Л. П. Ромака, І. М. Романів, В. В. Ромака, М. Б. Коник, А. М. Горинь, Ю. В. Стадник // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 2. - С. 139-146.uk_UA
dc.identifier.urihttp://hdl.handle.net/123456789/574-
dc.description.abstractВзаємодія компонентів у потрійній системі Ho-Cu-Sn досліджена за температури 670 K в повному концентраційному інтервалі методами рентгенівської дифракції і рентгеноспектрального аналізу. При 670 K в системі утворюються чотири тернарні сполуки: HoCuSn (структурний тип LiGaGe, просторова група P63mc), Ho3Cu4Sn4 (структурний тип Gd3Cu4Ge4, просторова група Immm), HoCu5Sn (структурний тип CeCu5Au, просторова група Pnma) і Ho1.9Cu9.2Sn2.8 (структурний типDy1.9Cu9.2Sn2.8, просторова група P63/mmc). Встановлено утворення твердого розчину включення на основі бінарної сполуки HoSn2 (структурний тип ZrSi2) до вмісту 5 aт. % Cu.uk_UA
dc.language.isouk_UAuk_UA
dc.subjectінтерметалідиuk_UA
dc.subjectфазові діаграмиuk_UA
dc.subjectрентгенівська дифракціяuk_UA
dc.subjectкристалічна структураuk_UA
dc.titleІзотермічний переріз потрійної системи Ho–Cu–Sn при 670 Kuk_UA
dc.title.alternativeIsothermal Section of the Ho–Cu–Sn Ternary System at 670 Kuk_UA
dc.typeArticleuk_UA
Appears in Collections:Т.19 №2

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
3008-9568-1-PB.pdf2.93 MBAdobe PDFView/Open


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.