Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/568
Title: | Magnetoresistance of Ge-Si Whiskers in the Vicinity to Metal–Insulator Transition |
Other Titles: | Магнітоопір ниткоподібних кристалів Ge-Si в області переходу метал-діелектри |
Authors: | Дружинін, Анатолій Олександрович Островський, Ігор Петрович Ховерко, Юрій Миколайович Лях-Кагуй, Наталія Степанівна |
Keywords: | магнітоопір ниткоподібні кристали тверді розчини Ge-Si перехід метал-діелектрик |
Issue Date: | 2018 |
Citation: | Дружинін А. О. Магнітоопір ниткоподібних кристалів Ge-Si в області переходу метал-діелектри / А. О. Дружинін, І. П. Островський, Ю. М. Ховерко, Н. С. Лях-Кагуй // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 2. - С. 130-133. |
Abstract: | Магнітоопір ниткоподібних кристалів (НК) GeхSi1-х (x = 0,002 x 0,11) з концентрацією акцепторів (Na = 3 x 10^18 x 2 x 10^19 cм^-3) поблизу переходу метал-діелектрик (ПМД) вивчали за низьких температур (4,2 - 77 К) в магнітних полях до 14 Т. Показано, що при 4,2 К магнітоопір ниткоподібних кристалів Ge-Si з діелектричного боку переходу є квадратичним, тоді як магнітоопір кристалів з металевого боку переходу має експоненціальну залежність від магнітного поля. У зразках у безпосередній близькості до ПМД з діелектричного боку виявлено від’ємний магнітоопір, тоді як у зразках з металевого боку переходу з високим вмістом германію (х = 11 ат.%) спостерігається аномальний позитивний магнітоопір. Отримані аномальні залежності, відповідно, пояснюються провідністю по делокалізованих станах А^+ верхньої зони Хаббарда та збільшенням електрон-електронної взаємодії в НК Ge-Si при збільшенні вмісту германію. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/568 |
Appears in Collections: | Т.19 №2 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
2960-9486-1-PB.pdf | 146.13 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.