Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
http://hdl.handle.net/123456789/566
Назва: | Вплив термовідпалів і способів охолодження на електрофізичні параметри n-Si, легованого домішкою фосфору через розплав і методом ядерної трансмутації |
Інші назви: | Effect of Thermal Annealings and Cooling Methods on Electrophysical Parameters of n-Si, Doped with Phosphorus Impurity via the Melt and by Nuclear Transmutation Technique |
Автори: | Гайдар, Галина Петрівна |
Ключові слова: | електрофізичні параметри n-кремній способи легування параметри анізотропії термічний відпал швидкість охолодження |
Дата публікації: | 2018 |
Бібліографічний опис: | Гайдар Г. П. Вплив термовідпалів і способів охолодження на електрофізичні параметри n-Si, легованого домішкою фосфору через розплав і методом ядерної трансмутації / Г. П. Гайдар // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 1. - С. 40-47. |
Короткий огляд (реферат): | У роботі досліджено вплив різних режимів термообробки на кінетику електронних процесів у кристалах кремнію, легованих домішкою фосфору через розплав та методом ядерної трансмутації. Встановлено найбільш значний вплив охолодження при проміжному значенні швидкості охолодження (uохол=15 оС/хв) після високотемпературного відпалу на основні електрофізичні параметри трансмутаційно легованих кристалів n‑Si(P). Виявлено і пояснено особливості змін параметрів анізотропії рухливості і термоерс, виміряних на кристалах кремнію різних способів легування, як у вихідному стані, так і після високотемпературного відпалу при використанні різних швидкостей охолодження. |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | http://hdl.handle.net/123456789/566 |
Розташовується у зібраннях: | Т.19 №1 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
2343-8365-1-PB.pdf | 179.43 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.