Please use this identifier to cite or link to this item:
http://hdl.handle.net/123456789/566
Title: | Вплив термовідпалів і способів охолодження на електрофізичні параметри n-Si, легованого домішкою фосфору через розплав і методом ядерної трансмутації |
Other Titles: | Effect of Thermal Annealings and Cooling Methods on Electrophysical Parameters of n-Si, Doped with Phosphorus Impurity via the Melt and by Nuclear Transmutation Technique |
Authors: | Гайдар, Галина Петрівна |
Keywords: | електрофізичні параметри n-кремній способи легування параметри анізотропії термічний відпал швидкість охолодження |
Issue Date: | 2018 |
Citation: | Гайдар Г. П. Вплив термовідпалів і способів охолодження на електрофізичні параметри n-Si, легованого домішкою фосфору через розплав і методом ядерної трансмутації / Г. П. Гайдар // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 1. - С. 40-47. |
Abstract: | У роботі досліджено вплив різних режимів термообробки на кінетику електронних процесів у кристалах кремнію, легованих домішкою фосфору через розплав та методом ядерної трансмутації. Встановлено найбільш значний вплив охолодження при проміжному значенні швидкості охолодження (uохол=15 оС/хв) після високотемпературного відпалу на основні електрофізичні параметри трансмутаційно легованих кристалів n‑Si(P). Виявлено і пояснено особливості змін параметрів анізотропії рухливості і термоерс, виміряних на кристалах кремнію різних способів легування, як у вихідному стані, так і після високотемпературного відпалу при використанні різних швидкостей охолодження. |
URI: | http://hdl.handle.net/123456789/566 |
Appears in Collections: | Т.19 №1 |
Files in This Item:
File | Description | Size | Format | |
---|---|---|---|---|
2343-8365-1-PB.pdf | 179.43 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.