1. Precarpathian National University Repository
  2. Періодичні видання ПНУ
  3. Наукові журнали
  4. Фізика і хімія твердого тіла
  5. 2018
  6. Т.19 №1
Please use this identifier to cite or link to this item: http://hdl.handle.net/123456789/566
Title: Вплив термовідпалів і способів охолодження на електрофізичні параметри n-Si, легованого домішкою фосфору через розплав і методом ядерної трансмутації
Other Titles: Effect of Thermal Annealings and Cooling Methods on Electrophysical Parameters of n-Si, Doped with Phosphorus Impurity via the Melt and by Nuclear Transmutation Technique
Authors: Гайдар, Галина Петрівна
Keywords: електрофізичні параметри
n-кремній
способи легування
параметри анізотропії
термічний відпал
швидкість охолодження
Issue Date: 2018
Citation: Гайдар Г. П. Вплив термовідпалів і способів охолодження на електрофізичні параметри n-Si, легованого домішкою фосфору через розплав і методом ядерної трансмутації / Г. П. Гайдар // Фізика і хімія твердого тіла. - 2018. - Т. 19. - № 1. - С. 40-47.
Abstract: У роботі досліджено вплив різних режимів термообробки на кінетику електронних процесів у кристалах кремнію, легованих домішкою фосфору через розплав та методом ядерної трансмутації. Встановлено найбільш значний вплив охолодження при проміжному значенні швидкості охолодження (uохол=15 оС/хв) після високотемпературного відпалу на основні електрофізичні параметри трансмутаційно легованих кристалів n‑Si(P). Виявлено і пояснено особливості змін параметрів анізотропії рухливості і термоерс, виміряних на кристалах кремнію різних способів легування, як у вихідному стані, так і після високотемпературного відпалу при використанні різних швидкостей охолодження.
URI: http://hdl.handle.net/123456789/566
Appears in Collections:Т.19 №1

Files in This Item:
File Description SizeFormat 
2343-8365-1-PB.pdf179.43 kBAdobe PDFView/Open
Show full item record


Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.