Напівпровідникові квантові точки як матеріали для лазерів на їх основі

Abstract

Квантові точки (КТ), на сьогодні належать до центральних об’єктів досліджень багатьох наукових груп. Вивчення властивостей структур малих розмірів важливе як для подальшого розвитку електроніки, так і для удосконалення вже існуючих напівпровідникових приладів. На сьогодні є багато методів отримання КТ в лабораторних умовах: метод ультразвукового подрібнення, молекулярно-променевої епітаксії, імпульсної лазерної абляції, а також за допомогою таких методів хімічного синтезу, як металорганічний синтез, синтез у зворотніх міцелах, сольвотермальний синтез , золь-гель синтез, синтез з використанням тіол-стабілізаторів, синтез у неводному середовищі . Найбільш перспективними на даний момент є методи, засновані на використанні явища самоорганізації. Це методи молекулярно-променевої епітаксії та колоїдної хімії, причому останнім методом можна синтезувати кристали, які мають розмір декілька нанометрів і в яких ширина забороненої зони та енергія максимуму піку люмінесценції, визначаються розміром частинок.