Зонна структура і механізм розсіювання носіїв струму в n-PbTe при 4,2К

Abstract

Досліджено домінуючі механізми розсіювання носіїв струму в кристалах n-PbTe при температурі 4,2К з використанням параболічного та непараболічного законів дисперсії згідно моделі Кейна. Показано, що роль кулонівського потенціалу вакансій переважає при низьких концентраціях. При високих концентраціях сумарне розсіювання для обох моделей майже повністю визначається розсіюванням на короткодіючому потенціалі вакансій. Одержані результати свідчать про те, що стандартний параболічний закон дисперсії при гелієвій температурі добре працює при низьких та середніх концентраціях. При високих концентраціях слід використовувати непараболічний закон дисперсії.